Samsung Electronics, le leader mondial des technologies de mémoire avancées, a annoncé la production en masse de disques SSD SATA de 250 Go basés sur ses modules V-NAND de sixième génération à 256 gigabits avec plus de 100 couches de cellules à trois bits, qui seront livrés aux fabricants de PC du monde entier. Samsung n’a mis que 13 mois pour fabriquer sa V-NAND de nouvelle génération, réduisant ainsi les délais de quatre mois tout en proposant les modules les plus rapides, les plus économes en énergie et les plus faciles à produire.
Les modules V-NAND de sixième génération de Samsung offrent des vitesses de transmission de données inégalées dans l’industrie, démontrant ainsi l’avantage de fabrication de l’entreprise qui fait passer la mémoire 3D au niveau supérieur. Les nouveaux cristaux V-NAND dotés de la technologie unique de Samsung « channel etch » permettent d’obtenir environ 40 % de cellules supplémentaires par rapport à la génération précédente de modules de mémoire monobloc 9x. Pour ce faire, on forme une structure électriquement conductrice de 136 couches, puis on perce verticalement des trous cylindriques de haut en bas, ce qui permet d’obtenir des cellules 3D homogènes dotées de la technologie CTF Charge Trap Flash .
À mesure que la hauteur de la matrice augmente dans chaque cellule, les puces flash NAND deviennent plus sensibles aux erreurs et aux retards de lecture. Pour surmonter cette limitation, Samsung a introduit une conception de circuit optimisée en termes de vitesse qui permet d’atteindre des taux de transfert maximums de moins de 450 microsecondes µs pour les opérations d’écriture et de moins de 45 µs pour les opérations de lecture. Par rapport à la génération précédente, la nouvelle conception offre une augmentation des performances de plus de 10 % et une réduction de la consommation d’énergie de plus de 15 %.
Grâce à la conception optimisée, les solutions V-NAND de nouvelle génération peuvent atteindre plus de 300 couches, en combinant trois cellules de sixième génération sans compromettre les performances ou la fiabilité de la puce. En outre, la puce de nouvelle génération de 256 Go ne nécessite que 670 millions de longueurs d’onde pour être produite, contre 930 millions pour la génération précédente. Cela a permis d’obtenir des puces plus petites et de réduire le nombre d’étapes de fabrication, augmentant ainsi l’efficacité de la fabrication de 20 %.
Grâce à ses caractéristiques haute vitesse et basse consommation, Samsung entend non seulement étendre l’utilisation de ses solutions V-NAND 3D à des appareils tels que les gadgets mobiles et les serveurs d’entreprise, mais aussi les introduire sur le marché automobile, où une fiabilité élevée est essentielle.
« En incorporant la technologie de mémoire 3D avancée dans des modèles de production de masse, nous sommes en mesure d’introduire des lignes de mémoire dont la vitesse et la consommation d’énergie sont nettement supérieures », a déclaré Kye Hyun Kyung, vice-président de la division « Mémoire flash et technologie » de Samsung Electronics. – En raccourcissant le cycle de développement des produits V-NAND de nouvelle génération, nous prévoyons d’étendre de manière agressive le marché de nos solutions V-NAND 512-Gigabit à haute vitesse et haute performance.
Samsung prévoit de lancer des SSD triple V-NAND et eUFS de 512 gigaoctets au cours du second semestre de l’année, après la sortie du SSD de 250 gigaoctets. La société a également l’intention de développer la production de solutions V-NAND de sixième génération à haute capacité et à grande vitesse dans son usine de Pyeongtaek, en Corée, à partir de l’année prochaine.
Quelles sont les améliorations apportées par Samsung à sa sixième génération de mémoire V-NAND 3D SSD? Comparée aux générations précédentes, cette nouvelle technologie présente-t-elle des avantages significatifs en termes de performances et de capacité de stockage? Merci d’éclairer nos lecteurs sur cette innovation.