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Intel et Micron* présentent la nouvelle technologie de mémoire 3D XPoint

SANTA CLARA Californie et BOISE Idaho , 28 juillet 2015. – Intel et Micron Technology, Inc.* Introduction de la technologie 3D XPoint™, une technologie de mémoire non volatile qui peut améliorer les performances des appareils, des applications et des services qui nécessitent un accès rapide à de grandes quantités de données. La mémoire 3D XPoint permet de créer une nouvelle catégorie de dispositifs de stockage pour la première fois depuis l’introduction de la mémoire flash NAND en 1989.

Intel

Technologie 3D XPoint™ – Haute vitesse et fiabilité extrême

  • Intel et Micron* lancent la production d’une nouvelle catégorie de mémoire non volatile pour la première fois en 25 ans.
  • La technologie 3D XPoint™ permet des communications mémoire jusqu’à mille fois plus rapides que la norme NAND.
  • Les entreprises ont mis au point des composites uniques et des architectures personnalisées qui permettent de multiplier par dix la densité des composants par rapport aux mémoires classiques.

L’évolution des appareils dotés d’un réseau et les nouveaux services numériques permettent une croissance spectaculaire des données. Des ressources de stockage et d’analyse rapide sont nécessaires pour utiliser les informations créées, ce qui constitue un défi pour les fournisseurs de services et les constructeurs de systèmes qui doivent trouver un équilibre entre coût, puissance et performances lors de la conception de nouveaux dispositifs de stockage. La technologie 3D XPoint combine tous les avantages des technologies de mémoire disponibles sur le marché. Il se caractérise par des performances et une densité de composants élevées, une faible consommation d’énergie et un prix abordable. Cette technologie a jusqu’à 1 000. Cette nouvelle catégorie de mémoire non volatile est jusqu’à 1 000 fois plus rapide et a une capacité allant jusqu’à 1 000 mètres carrés. une durée de vie une fois plus longue que la mémoire NAND. Elle offre également une densité de composants jusqu’à 10 fois supérieure à celle des mémoires classiques.

Depuis plusieurs décennies, les entreprises cherchent des moyens de réduire la latence lorsque le processeur accède aux données afin d’améliorer la vitesse d’analyse des informations », a déclaré Rob Crooke, vice-président senior et directeur général du groupe des solutions de mémoire non volatile chez Intel Corp. – La nouvelle classe de mémoire non volatile 3D XPoint résout ce problème et augmente la vitesse des systèmes de stockage. ».

« L’un des défis les plus importants dans le monde de la technologie informatique moderne est le temps long qu’il faut au processeur pour accéder aux données dans le système de stockage », a déclaré Mark Adams, président de Micron*. – Cette nouvelle catégorie de mémoire non volatile est une technologie révolutionnaire qui permet un accès rapide à de grandes quantités de données et crée des applications entièrement nouvelles.

Le monde numérique évolue rapidement : 4,4 zettaoctets de données numériques ont été créés en 2013., pour atteindre un volume estimé à 44 zettaoctets d’ici à la fin 2023. La technologie 3D XPoint transforme cette quantité massive de données en informations utiles et exploitables en quelques nanosecondes. Les détaillants, par exemple, peuvent utiliser ce nouveau développement pour identifier rapidement les indicateurs de fraude dans les transactions financières ; les chercheurs médicaux peuvent traiter et analyser des ensembles de données plus importants en temps réel, accélérant ainsi la résolution de problèmes scientifiques complexes, notamment l’analyse du génome humain et le suivi des maladies.

Les avantages de la vitesse élevée de 3D XPoint peuvent améliorer l’expérience des utilisateurs de PC. La faible consommation d’énergie de cette nouvelle technologie permet également des applications de stockage à faible latence : les données ne sont pas effacées lorsque l’appareil est éteint.

Une nouvelle architecture pour une technologie de mémoire avancée

Basée sur 10 ans de recherche et développement, la technologie 3D XPoint a été créée de toutes pièces pour répondre à la demande de solutions de stockage non volatiles, rapides, durables et de grande capacité à un prix abordable. Cette technologie utilise une nouvelle catégorie de mémoire non volatile qui réduit considérablement la latence en permettant de stocker davantage de données à proximité du processeur.

L’architecture innovante à couches croisées produit un « damier » tridimensionnel où les cellules de mémoire sont placées à l’intersection des lignes de nombres et de chiffres, ce qui permet un adressage indépendant. En conséquence, les données peuvent être lues et écrites dans un espace réduit, ce qui se traduit par un processus de lecture/écriture plus rapide et plus efficace.

Caractéristiques de la technologie 3D XPoint :

  • Motifs croisés – Des conducteurs perpendiculaires relient 128 milliards de cellules de mémoire. Chaque emplacement mémoire stocke 1 bit de données. Atteindre une vitesse et une densité élevées.
  • Multi-couches – En plus d’être disposées en forme de croix, les cellules de mémoire sont disposées en plusieurs couches. La technologie native permet de disposer de 128 Go de stockage par puce pour deux couches de mémoire. Les futures générations de technologies permettront à un plus grand nombre de couches d’augmenter leur capacité.
  • Utilisation des sélecteurs – On accède aux cellules de mémoire et on les lit ou on les écrit en modifiant la valeur de la tension acheminée vers chaque sélecteur. Élimine le besoin de transistors, ce qui augmente la capacité et réduit le coût.
  • Cellules à commutation rapide – La petite taille des cellules, les sélecteurs rapides, la faible latence et les écritures rapides permettent aux cellules de changer d’état plus rapidement que toute autre technologie de mémoire non volatile.

Vitesse de la technologie 3D XPoint

Technologie de mémoire 3D XPoint à 1 000. fois plus rapide que la mémoire NAND.

  • Le temps de trajet moyen des résidents américains passerait de 25 minutes à 1,5 seconde.
  • Le voyage aérien de San Francisco à Pékin aurait pris environ 43 secondes au lieu de 12 heures.
  • La Grande Muraille de Chine aurait pu être construite en 73 jours au lieu de 200 ans.

La valeur de latence des disques durs et des mémoires NAND est mesurée en microsecondes, tandis que la mémoire 3D XPoint est mesurée en nanosecondes un milliardième de seconde .

La mémoire NAND peut couvrir un marathon dans le temps qu’il faut à un disque dur pour traverser un terrain de basket, tandis que la mémoire 3D XPoint peut faire le tour du monde.

Si vous comparez le stockage de données sur un ordinateur avec les voyages :

  • Les disques durs pouvaient vous conduire de New York à Los Angeles en 4 jours 4 000 km .
  • Pendant ce temps, les SSD pourraient vous emmener sur la lune 386 000 km .
  • Dans ce laps de temps, la mémoire 3D XPoint pourrait vous emmener sur Mars et en revenir environ 450 millions de kilomètres .

Fiabilité de la technologie 3D XPoint

3D XPoint fournit jusqu’à 1k. fois plus d’endurance que les NAND.

  • Si 3D XPoint était l’huile moteur de votre voiture, vous la remplaceriez tous les 4,8 millions de km 120 tours du monde ou 1 tour du soleil .

Un SSD grand public peut écrire 40 Go par jour. C’est 8,6 copies de l’Encyclopaedia Britannica, ou 10.000. des fichiers MP3 tous les jours pendant cinq ans.

SSD avec une durée de vie 1 000 fois plus longue. Une fois en production, il pourrait enregistrer la totalité de la collection d’imprimés de la Bibliothèque du Congrès des États-Unis 20 To deux fois par jour. Après 5 ans, le volume équivaudrait à 1,46 milliard de classeurs standard contenant des documents textuels.

Ordinateurs et périphériques


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Michelle Bernard

Depuis mon enfance, j'ai ressenti une passion pour l'esthétique et le design. Mes premiers souvenirs sont associés au jeu des couleurs et des formes, et il était évident que ma passion pour la création de beaux espaces façonnerait ma vie.

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Comments: 1
  1. Zoé Rolland

    Cette nouvelle technologie de mémoire 3D XPoint présentée par Intel et Micron semble très prometteuse. J’aimerais savoir si elle offre une meilleure performance et une plus grande capacité de stockage par rapport aux technologies de mémoire existantes. Est-ce que cette innovation va révolutionner le domaine de l’informatique et des dispositifs électroniques ?

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